SI4814BDY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4814BDY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Leistung - max | 3.3W, 3.5W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A, 10.5A |
SI4814BDY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4814BDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4812DY-T1-E3. VIS
SI4814DY-T1 VIHAY
SI4814DY VISHAY
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
VISHAY SOP-8
SI4814 VISHAY
Si4812DY-T1-E3 VISHAY
VLSHAY SOP-8
VISHAY SOP-8
VBSEMI SOIC-8
VISHAY SOP8
VBSEMI SOP-8
SI4814BDY SI
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
SI4812DY-T1-E3 SOP8 VISHAY
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
SI4814DY-T1-E3 VISHAY
SI4816BDY SI
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4814BDY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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